[发明专利]一种二硫化钼/硅双结太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201711118890.6 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107895745A | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 邢宇鹏;黄胜明;张楷亮;赵金石;杨正春 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/032;H01L31/0687;H01L31/18 |
代理公司: | 天津耀达律师事务所12223 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300384 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种二硫化钼/硅双结太阳能电池及其制备方法。所述电池由下至上依次包括第一电极(1)、第一钝化层(2)、硅衬底(3)、硅掺杂层(4)、第二钝化层(5)、第一透明导电层(6)、第三钝化层(7)、二硫化钼层(8)、二硫化钼掺杂层(9)、第四钝化层(10)、第二透明导电层(11)和第二电极(12),第二电极(12)的宽度小于第二透明导电层(11)。本发明与目前报道的晶体硅基双结太阳能电池相比,该电池的制造成本更低。 | ||
搜索关键词: | 一种 二硫化钼 硅双结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种二硫化钼/硅双结太阳能电池,其特征在于,该电池由下至上依次包括:第一电极(1)、第一钝化层(2)、硅衬底(3)、硅掺杂层(4)、第二钝化层(5)、第一透明导电层(6)、第三钝化层(7)、二硫化钼层(8)、二硫化钼掺杂层(9)、第四钝化层(10)、第二透明导电层(11)和第二电极(12),第二电极(12)的宽度小于第二透明导电层(11)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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