[发明专利]一种硅晶片光刻曝光方法

摘要

一种基于佳能曝光机和Perkin‑elmer曝光机的硅晶片光刻曝光方法。涉及半导体制造技术领域。提出了一种操作简单、设备成本低的一种基于佳能曝光机和Perkin‑elmer曝光机的硅晶片光刻曝光方法。按以下步骤进行操作：1）完成第一次晶片上生长层的生长，并判断该生长层是SiO2还是金属，若是SiO2则进入步骤2）若是金属则进入步骤3）；2）佳能曝光3）PE曝光；4）判断是否完成所有生长层的生长，是则结束，否则进入步骤5）；5）生长：完成一次生长层的生长；并判断该生长层是SiO2还是金属，若是SiO2则进入步骤6）若是金属则进入步骤7）；6）佳能对位曝光7）PE曝光。本发明具有产品品质高等优点。

主权项

一种基于佳能曝光机和Perkin‑elmer曝光机的硅晶片光刻曝光方法，其特征在于，按以下步骤进行操作：1）、完成第一次晶片上生长层的生长，并判断该生长层是SiO2还是金属，若是SiO2则进入步骤2），若是金属则进入步骤3）；2）、佳能曝光：2.1）、选取佳能步进式曝光机；2.2）、判断下一次晶片上的生长层是SiO2还是金属，若是SiO2则进入步骤2.2.1），若是金属则进入步骤2.2.2），若无则跳过该步骤；2.2.1）、在光刻版中图形的间隙上打上佳能对位标记；2.2.2）、在光刻版中图形的间隙上打上PE对位标记；2.3）、通过曝光将光刻版上的图形转移至晶片上；进入步骤4）；3）、PE曝光：3.1）、选取Perkin‑elmer扫描式曝光机；3.2）、判断下一次晶片上的生长层是SiO2还是金属，若是SiO2则进入步骤3.2.1），若是金属则进入步骤3.2.2），若无则跳过该步骤；3.2.1）、在光刻版中图形的间隙上打上佳能对位标记；3.2.2）、在光刻版中图形的间隙上打上PE对位标记；3.3）、通过曝光将光刻版上的图形转移至晶片上；进入步骤4）；4）、判断是否完成所有生长层的生长，是则结束，否则进入步骤5）；5）、生长：完成一次生长层的生长；并判断该生长层是SiO2还是金属，若是SiO2则进入步骤6），若是金属则进入步骤7）；6）、佳能对位曝光：6.1）、选取佳能步进式曝光机；6.2）、判断下一次晶片上的生长层是SiO2还是金属，若是SiO2则进入步骤6.2.1），若是金属则进入步骤6.2.2），若无则跳过该步骤；6.2.1）、在光刻版中图形的间隙上打上佳能对位标记；6.2.2）、在光刻版中图形的间隙上打上PE对位标记；6.3）、根据上一次光刻在晶片上的佳能对位标记进行自动对位；6.4）、通过曝光将光刻版上的图形转移至晶片上；返回步骤4）；7）、PE曝光：7.1）、选取Perkin‑elmer扫描式曝光机；7.2）、判断下一次晶片上的生长层是SiO2还是金属，若是SiO2则进入步骤7.2.1），若是金属则进入步骤7.2.2），若无则跳过该步骤；7.2.1）、在光刻版中图形的间隙上打上佳能对位标记；7.2.2）、在光刻版中图形的间隙上打上PE对位标记；7.3）、根据上一次光刻在晶片上的PE对位标记进行人工手动对位；7.4）、通过曝光将光刻版上的图形转移至晶片上；返回步骤4）。