[发明专利]晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201711121579.7 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108081118B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 早川晋;饭岛悠;宫城有佑 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B24B37/30 | 分类号： | B24B37/30;B24B57/02;B24B37/04;B24B37/10;B24B37/34;B24B27/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供晶片的加工方法，加工性良好并且能够高效地进行去疵层的形成。晶片的加工方法是使用了包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒的研磨垫的晶片的加工方法。晶片的加工方法包含如下的工序：研磨工序(ST4)，一边对保持在以第1旋转速度旋转的卡盘工作台上的晶片提供碱性的研磨液，一边使以规定的速度旋转的研磨垫与该晶片抵接而进行研磨；以及去疵层形成工序(ST5)，维持研磨工序(ST4)中的使以规定的速度旋转的研磨垫与旋转的卡盘工作台上所保持的晶片抵接的状态，在研磨工序(ST4)之后连续地使卡盘工作台以比第1旋转速度小的第2旋转速度旋转，一边提供不与该晶片发生反应的液体一边在该晶片上形成去疵层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的加工方法，该方法使用研磨垫，该研磨垫包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：研磨工序，一边对保持在以第1旋转速度旋转的卡盘工作台上的晶片提供碱性的研磨液，一边使以规定的速度旋转的该研磨垫与该晶片抵接而进行研磨；以及去疵层形成工序，维持该研磨工序中的使以该规定的速度旋转的该研磨垫与旋转的该卡盘工作台上所保持的该晶片抵接的状态，在该研磨工序之后连续地使该卡盘工作台以比该第1旋转速度小的第2旋转速度旋转，一边提供不与该晶片发生反应的液体一边在该晶片上形成去疵层。
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