[发明专利]有源区顶部圆滑度的模拟检测方法

摘要

本发明公开了一种有源区顶部圆滑度的模拟检测方法，包括步骤：步骤一、提取产品晶片的浅沟槽的刻蚀工艺中的圆滑修饰步骤的参数；步骤二、提供一测试晶片，在测试晶片上定义出区域大小相同的浅沟槽形成区域；步骤三、采用圆滑修饰步骤作为测试晶片中的浅沟槽的刻蚀工艺并形成测试晶片中的浅沟槽，用以模拟产品晶片的有源区的顶部圆滑区；步骤四、测量测试晶片中的浅沟槽的边缘形貌的角度，通过角度检测产品晶片上的有源区的顶部圆滑度。本发明能实现对有源区顶部圆滑度的实时检测，并能在有源区顶部圆滑度发生偏离时进行工艺调控。

主权项

1.一种有源区顶部圆滑度的模拟检测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、产品晶片的有源区由浅沟槽场氧隔离，在浅沟槽场氧的浅沟槽的主刻蚀工艺完成后，还包括一个对所述有源区的顶部进行圆滑的圆滑修饰步骤，提取所述圆滑修饰步骤的参数；步骤二、提供一测试晶片，采用所述产品晶片的浅沟槽的相同的光刻工艺在所述测试晶片上定义出区域大小相同的浅沟槽形成区域；步骤三、采用步骤一提取的所述圆滑修饰步骤作为所述测试晶片中的浅沟槽的刻蚀工艺并形成所述测试晶片中的浅沟槽，用所述测试晶片的浅沟槽模拟所述产品晶片的有源区的顶部圆滑区；步骤四、测量所述测试晶片中的浅沟槽的边缘形貌的角度，通过该角度检测所述产品晶片上的有源区的顶部圆滑度。