[发明专利]一种覆盖纳米柱势垒的GaN晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201711122190.4 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107978628B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 房育涛;叶念慈 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种覆盖纳米柱势垒的GaN晶体管及其制备方法，所述晶体管的势垒层表面分布有Al |
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| 搜索关键词： | 一种 覆盖 纳米 柱势垒 gan 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种覆盖纳米柱势垒的GaN晶体管，其特征在于：所述晶体管由下至上包括衬底、缓冲层、沟道层及覆盖纳米柱的势垒层，势垒层上设置有源极、漏极及栅极，且栅极位于源极和漏极之间；所述沟道层由GaN异质外延生长形成，所述势垒层由AlxGa1‑xN异质外延生长形成，且势垒层表面分布有AlxGa1‑xN合金纳米柱，其中0<x<1；所述纳米柱与势垒层中的螺位错一一对应。
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