[发明专利]二极管模组在审
| 申请号： | 201711122199.5 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN107731976A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳迈辽技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/12;G02B6/42 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙)44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区大浪街道龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种二极管模组，包括半导体基底层、二极管外延层及光波导。该半导体基底层具有一表面，该表面包括依次相邻设置的外延层生长区、光波导固定区及光纤接入区，该光纤接入区开设有光纤收容沟槽，该光纤收容沟槽的延伸方向指向该光波导固定区。该二极管外延层形成于该外延层生长区，该二极管外延层包括沿远离该表面依次排列的半导体缓冲层和PN结，该PN结之间形成有多重量子井结构层。该光波导形成于该光波导固定区，该光波导其中一侧面与该多重量子井结构层一侧面相对。本发明还涉及该二极管模组的制作方法及光互连装置。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 模组 | ||
【主权项】：
一种二极管模组，包括：半导体基底层，具有一表面，该表面包括依次相邻设置的外延层生长区、光波导固定区及光纤接入区，该光纤接入区开设有光纤收容沟槽，该光纤收容沟槽的延伸方向指向该光波导固定区；二极管外延层，形成于该外延层生长区，该二极管外延层包括沿远离该表面依次排列的半导体缓冲层和PN结，该PN结之间形成有多重量子井结构层；及光波导，形成于该光波导固定区，该光波导其中一侧面与该多重量子井结构层一侧面相对。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳迈辽技术转移中心有限公司，未经深圳迈辽技术转移中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711122199.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包含接触结构的半导体装置
- 下一篇：非水电解质二次电池
