[发明专利]III-V族半导体二极管

摘要

堆叠状的III‑V族半导体二极管(10)具有：掺杂剂浓度为5*1018‑5*1020N/cm3、层厚度(Ds)为50‑500μm并且包括GaAs化合物的p+衬底(12)；掺杂剂浓度为1014‑1016N/cm3、层厚度(D1)为10‑300μm并且包括GaAs化合物的n‑层(16)；掺杂剂浓度至少为1019N/cm3、层厚度(D2)小于2μm并且包括GaAs化合物的n+层(18)；其中，所述n‑层(16)与所述n+层(18)彼此材料锁合地连接，在所述p+衬底(12)与所述n‑层(16)之间布置有层厚度(Dp)为5‑50μm且掺杂剂浓度为1015‑1017N/cm3的经掺杂的中间层(14)，所述中间层(14)与所述p+衬底(12)以及所述n‑层(16)材料锁合地连接。

主权项

1.一种堆叠状的III-V族半导体二极管(10)，其具有，p+衬底(12)，所述p+衬底的掺杂剂浓度为5*1018至5*1020N/cm3、层厚度(Ds)为50至500μm，其中，所述p+衬底(12)包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成，n-层(16)，所述n-层的掺杂剂浓度为1012至1016N/cm3、层厚度(D1)为10至300μm，所述n-层包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成，n+层(18)，所述n+层的掺杂剂浓度至少为1019N/cm3、层厚度(D2)小于30μm，所述n+层包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成，其中，所述n-层(16)与所述n+层(18)彼此材料锁合地连接。其特征在于，在所述p+衬底(12)与所述n-层(16)之间布置有层厚度(D3)为1μm至50μm且掺杂剂浓度为1012至1017N/cm3的经掺杂的中间层(14)，其中，所述中间层(14)与所述p+衬底(12)以及所述n-层(16)材料锁合地连接。