[发明专利]一种键合晶圆的配对方法及系统有效
申请号: | 201711124994.8 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107887306B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 叶国梁 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种键合晶圆的配对方法及系统,属于半导体制造技术领域,包括以下步骤:收集所有待键合的晶圆的历史检测数据,历史检测数据包括晶圆的标识信息和晶圆上的晶粒的状态信息;根据历史检测数据预测所有待键合的晶圆不同组合的良率;根据最优的组合的标识信息提取出相应的晶圆,并对提取的晶圆进行键合。上述技术方案的有益效果是:在晶圆键合前,对待键合的晶圆进行配对,以尽量保证待键合的两个晶圆的缺陷处对应,从而避免待键合的两个晶圆的缺陷区域交叉影响,进行提高最终生产芯片的良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 键合晶圆 配对 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种键合晶圆的配对系统,其特征在于,包括:存储模块,收集所有待键合的第一晶圆和第二晶圆的历史检测数据,所述历史检测数据包括所述第一晶圆和所述第二晶圆的标识信息数据,以及与所述标识信息数据对应的所述第一晶圆或第二晶圆上的晶粒的状态信息数据;计算模块,连接所述存储模块,用于排列出所有所述第一晶圆和所述第二晶圆之间的所有组合,并根据相应所述历史检测数据预测出每个所述组合内的所述第一晶圆和所述第二晶圆键合后的良率,并出预测结果;筛选模块,连接所述计算模块,用于根据所述预测结果筛选出所有所述第一晶圆与所述第二晶圆之间的最优组合,并输出每个所述最优组合的组合信息,每个所述组合信息包括对应的所述最优组合内的所述第一晶圆和所述第二晶圆的所述标识信息数据;执行模块,连接所述筛选模块,用于根据所述组合信息挑选出对应的所述第一晶圆和所述第二晶圆,并将挑选出的所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合处理;所述计算模块包括:组合单元,用于根据所述第一晶圆和所述第二晶圆的所述标识信息数据,排列出所有所述第一晶圆和所述第二晶圆之间的所述组合;计算单元,连接所述组合单元,所述计算单元用于根据一预设的计算模型以及相应的所述历史检测数据,预测每个所述组合内的所述第一晶圆和所述第二晶圆键合后的良率;所述计算模型包括:编码子单元,用于分别对同一所述组合内的所述第一晶圆和所述第二晶圆的各个所述晶粒编码;设置子单元,连接所述编码子单元,用于设定所述第一晶圆的所述编码与所述第二晶圆的所述编码的对应关系;以及设定判定键合后的晶圆的晶粒存在缺陷的判断条件;计算子单元,连接所述设置子单元,用于根据所述对应关系、判断条件和相应的所述历史检测数据计算所述组合内的所述第一晶圆和所述第二晶圆键合后的良率。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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