[发明专利]一种具有气隙的层间介质层及其淀积方法在审
| 申请号： | 201711127697.9 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107946281A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 田守卫;王雷;姜国伟;孙洪福 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;C23C16/513 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有气隙的层间介质层及其淀积方法，所述具有气隙的层间介质层之气隙高度可控，所述气隙之高度小于等于当层之金属连线的高度。所述具有气隙的层间介质层之气隙采用高密度等离子体化学气相沉积方法制备。通过高密度等离子体化学气相沉积方法制备所述具有气隙层间介质层之气隙，所述具有气隙层间介质层之气隙高度可控，所述气隙之高度小于等于当层之金属连线的高度，进而降低了气隙对层间介质层厚度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有气 介质 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种具有气隙的层间介质层，其特征在于，所述具有气隙的层间介质层之气隙高度可控，所述气隙之高度小于等于当层之金属连线的高度。
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