[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201711128390.0 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108155171B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 林家祺;李志成;田兴国;杨智勇 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开揭露一种半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括：内连接结构及电介质层。电介质层围绕所述内连接结构并且定义一第一凹穴。第一凹穴系由电介质层的第一侧壁、第二侧壁和第一表面定义。第一侧壁系自第二侧壁横向移位(laterally displaced)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 电介质层 内连接结构 第二侧壁 第一侧壁 第一表面 横向移位 凹穴系 凹穴 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底，包括：内连接结构；第一电介质层，其围绕所述内连接结构，所述第一电介质层具有第一表面；及第二电介质层，其置于所述第一电介质层上，所述第二电介质层具有第一侧壁和第二侧壁；其中所述第二电介质层的所述第一侧壁、所述第二电介质层的所述第二侧壁及所述第一电介质的所述第一表面定义第一凹穴；其中所述第二电介质层的所述第一侧壁从所述第二电介质层的所述第二侧壁横向移位；且其中所述第一侧壁的宽度不同于所述第二侧壁的宽度。
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