[发明专利]一种半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块在审
| 申请号： | 201711129294.8 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108063096A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 王亮;武伟;林仲康;田丽纷;韩荣刚;唐新灵;石浩;张朋;李现兵;张喆 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L29/739;H01L23/488;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 刘林涛 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块，所述半导体功率器件子模组的生产方法包括如下步骤：S1.在钼片的镀银面上沉积AgSn薄膜焊膏；S2.将芯片通过卡具贴装在所述AgSn薄膜焊膏表面，形成待烧结结构。本发明提供的半导体功率器件子模组的生产方法，在钼片上首先沉积AgSn，AgSn具有很强导热能力，可以确保整个子模组的传热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 模组 及其 生产 方法 压接式 igbt 模块 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件子模组的生产方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.在钼片(1)的镀银面(11)上沉积AgSn薄膜焊膏；S2.将芯片(2)通过卡具贴装在所述AgSn薄膜焊膏表面，形成待烧结结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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