[发明专利]晶圆正面蒸金的方法在审

专利信息
申请号: 201711130964.8 申请日: 2017-11-15
公开(公告)号: CN107887257A 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 王鹏;刘宇;李秀莹 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/027
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种晶圆正面蒸金的方法,所述晶圆的正面形成有金属区和绝缘区;在所述绝缘区和所述金属区的边缘部分覆盖一层光刻胶层,再在所述光刻胶层和所述剩余的金属区上形成金属层,去除所述光刻胶层和所述光刻胶层上的金属层,本发明提供的晶圆正面蒸金的方法将光刻胶层覆盖所述金属区的边缘部分,将所述金属层覆盖至剩余的金属区和光刻胶层上,所述正面金属的金属材料与所述金属区的粘附力大于所述正面金属与所述光刻胶层的粘附力,利用金属材料在光刻胶层和在金属上的粘附力差别,后续可以轻易的去除所述光刻胶层和所述光刻胶层上的金属层,而不会使正面金属发生剥离或翘起。
搜索关键词: 正面 方法
【主权项】:
一种晶圆正面蒸金的方法,其特征在于,所述晶圆正面蒸金的方法包括:提供晶圆,所述晶圆的正面包括金属区和绝缘区;形成光刻胶层,所述光刻胶层覆盖所述绝缘区和所述金属区的边缘部分;形成金属层,所述金属层覆盖所述光刻胶层和剩余的所述金属区;去除所述光刻胶层和所述光刻胶层上的金属层。
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