[发明专利]一种集成式激光电离效应模拟系统在审

专利信息
申请号: 201711131410.X 申请日: 2017-11-15
公开(公告)号: CN107907813A 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 李沫;孙鹏;黄锋;汤戈;王小凤;代刚;张健 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 代理人: 蒋斯琪
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种集成式激光电离效应模拟系统,该系统将调整底座、光源、衰减与光束调整模块、显微观察模块及测试与存储模块一体化集成,光源可选择输出266nm、532nm和1064nm三个波段的激光,可满足不同半导体器件辐射电离效应模拟的需求,整个系统具有方便、快捷、准确、安全性高等特点,可有效降低半导体器件的试验成本,提高试验效率,缩短抗辐射加固的设计周期。
搜索关键词: 一种 集成 激光 电离 效应 模拟 系统
【主权项】:
一种集成式激光电离效应模拟系统,其特征在于:包括调整底座(I)、光源(II)、衰减与光束调整模块(III)、显微观察模块(IV)、测试与存储模块(V);其中:调整底座(I)用于稳定支撑整个模拟系统;光源(II)及衰减与光束调整模块(III)用于产生特定波长脉冲激光,并根据实际实验需求对单脉冲激光能量进行衰减;显微观察模块(IV)用于对半导体器件测试样品(20)进行成像,并对作用于半导体器件测试样品(20)的脉冲激光进行能量测量;测试与存储模块(V)用于采集并记录半导体器件测试样品(20)辐射电离效应的响应电信号,通过控制精密位移平台来精确控制光斑作用于半导体器件测试样品(20)上的位置。
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