[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、P型电极和N型电极，N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上；P型电极包括焊点和电极线，电极线的一端与所述焊点连接，电极线的另一端沿远离焊点的方向延伸；电极线包括依次层叠的粘附层、反光层、复合层和打线层，反光层和打线层为Al膜，复合层包括依次层叠的第一过渡层、导电层和第二过渡层，导电层为Cu膜，第一过渡层和第二过渡层为TiW膜。本发明可解决电迁移。

主权项

1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、P型电极和N型电极，所述N型半导体层、所述多量子阱层、所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的一个表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；所述P型电极包括焊点和电极线，所述电极线的一端与所述焊点连接，所述电极线的另一端沿远离所述焊点的方向延伸；所述电极线包括从所述P型半导体层一侧起依次向上层叠的粘附层、反光层和打线层，所述反光层和所述打线层为Al膜；其特征在于，所述电极线还包括设置在所述反光层和所述打线层之间的复合层，所述复合层包括从所述反光层一侧起依次向上层叠的第一过渡层、导电层和第二过渡层，所述导电层为Cu膜，所述第一过渡层和所述第二过渡层为TiW膜。