[发明专利]一种在碳陶复合材料内部在线原位制备氧化硅晶须的方法有效
| 申请号： | 201711132310.9 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107879756B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 冯锋;左新章;李建章;王义洪;王鹏;成来飞;刘梦珠 | 申请（专利权）人： | 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622;C30B25/00;C30B29/18;C30B29/62 |
| 代理公司： | 61211 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人： | 杨引雪<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 710065陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种在碳陶复合材料内部在线原位制备氧化硅晶须的方法，主要解决了现有方法制备纳米二氧化硅所需的环境温度高、需要有加热过程、反应气体流量大、不适合在陶瓷基复合材料内部反应的问题。方法包括以下步骤：1)将碳化硅陶瓷基复合材料放入化学气相沉积炉内，炉内温度在900～1100℃；2)将制备碳化硅陶瓷基体的先驱体气体与空气的混合气体引入沉积炉内发生反应；3)陶瓷基复合材料内部在线原位形成氧化硅晶须。本发明方法所需环境温度低、反应气体流量小，可有效降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合材料 内部 在线 原位 制备 氧化 硅晶须 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在碳陶复合材料内部在线原位制备氧化硅晶须的方法，其特征在于：包括以下步骤，/n1)将碳化硅陶瓷基复合材料放入化学气相沉积炉内反应，炉内温度在900～1100℃之间；/n2)当碳化硅陶瓷基复合材料密度增大后，将制备碳化硅陶瓷基体的先驱体气体与空气的混合气体引入沉积炉内发生反应；/n制备碳化硅陶瓷基体的先驱体气体通过以下方法得到，采用气相运输的方法，将载气气体氢气通入MTS液体内，通过鼓泡的形式带出MTS气体，并与稀释气体氩气一起混合形成先驱体 气体；载气气体氢气的流速为1～3L/min，稀释气体氩气的流速为1～2L/min，空气的流速为0.1～0.3L/min；/n3)在陶瓷基复合材料内部在线原位形成氧化硅晶须。/n
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