[发明专利]共晶键合的方法及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201711132891.6 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107902626A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王建鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种共晶键合的方法及半导体器件的制造方法，在所述第一晶圆的表面形成介质层；刻蚀部分厚度的介质层以形成一凹槽，在所述凹槽内形成铝材料层；将所述第一晶圆和所述第二晶圆进行共晶键合，由于所述铝材料层在凹槽内，共晶键合后铝锗合金也被限制在所述凹槽内，所述凹槽的侧壁可以阻挡铝锗合金的流动，避免器件出现短路或其他故障，也不用考虑铝锗合金厚度变化对器件总高度的影响，这样铝锗键合工艺的窗口可以扩大，同时提升铝锗键合工艺的稳定性和产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 共晶键合 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
一种共晶键合的方法，其特征在于，所述共晶键合的方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆的表面形成介质层；刻蚀部分厚度的介质层以形成一凹槽；在所述凹槽内形成铝材料层；提供第二晶圆，所述第二晶圆的表面形成有锗材料层；将所述第一晶圆和所述第二晶圆进行共晶键合。
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