[发明专利]具有单粒子锁定防止电路的存储器有效
| 申请号： | 201711134937.8 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108206036B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张卫民;徐彦忠 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C7/24 | 分类号： | G11C7/24;G11C11/417 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种集成电路，其包括随机存取存储器单元的阵列。每个存储器单元可以包括由上拉晶体管和下拉晶体管形成的反相电路以及耦合到所述反相电路的存取晶体管。上拉晶体管可以形成在n阱中。存储器单元还可以耦合到单粒子锁定(SEL)防止电路。SEL防止电路可以包括箝位电路、电压感测电路、以及驱动器电路。响应于在存储器单元中的一个存储器单元处的单粒子阿尔法粒子撞击，可以在箝位电路处呈现暂时的电压升高。电压感测电路可以检测电压升高并且引导驱动器电路将n阱偏置到深反向偏置区。以这种方式进行操作，SEL防止电路可以缓解SEL，同时使存储器单元泄漏最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 粒子 锁定 防止 电路 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：存储器单元，所述存储器单元包括串联耦合在电源线与下拉节点之间的n沟道晶体管和p沟道晶体管；以及单粒子锁定防止电路，所述单粒子锁定防止电路连接到所述下拉节点和所述存储器单元中的所述p沟道晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711134937.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
