[发明专利]一种抗辐射带隙基准电路的加固方法在审
| 申请号： | 201711137437.X | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108037789A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 徐子轩;李博;赵博华;刘海南;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G05F1/565 | 分类号： | G05F1/565 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供的一种抗辐射带隙基准电路的加固方法，所述方法包括：生成第一带隙基准电压，所述第一带隙基准电压为具有基极漏电流变化分量的带隙基准电压；消除所述基极漏电流变化分量，并引入第一三极管发射极与基极电压差分量；还原所述第一三极管发射极与基极的电压差值；将所述第一三极管产生的发射极与基极的电压差分量引入带隙产生电路产生第二带隙基准电压，其中，所述第二带隙基准电压为消除所述基极漏电流变化分量的带隙基准电压。解决了现有技术中在标准工艺上实现的未进行特殊加固设计的带隙基准电路受总剂量辐射影响仍然很大的技术问题，达到了能够方便的运用于各种优化的器件工艺中进一步提升抗辐射的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 基准 电路 加固 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抗辐射带隙基准电路的加固方法，应用于互补金属氧化物半导体工艺，所述方法包括：生成第一带隙基准电压，所述第一带隙基准电压为具有基极漏电流变化分量的带隙基准电压；消除所述基极漏电流变化分量，并引入第一三极管发射极与基极电压差分量；还原所述第一三极管发射极与基极的电压差值；将所述第一三极管产生的发射极与基极的电压差分量引入带隙产生电路产生第二带隙基准电压，其中，所述第二带隙基准电压为消除所述基极漏电流变化分量的带隙基准电压。
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