[发明专利]一种InP基单片集成全光模数转换器结构有效
| 申请号： | 201711137652.X | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107748473B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 郭菲;夏君磊;刘瑞丹;郑国康;黄韬;丁东发 | 申请（专利权）人： | 北京航天时代光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F7/00 | 分类号： | G02F7/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张晓飞 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种InP基单片集成全光模数转换器结构，该结构主要包括：半导体锁模激光器、电吸收调制器、1×2分束器、移相器。其中，半导体锁模激光器作为采样脉冲光源输出采样脉冲信号，电吸收调制器用于对采样脉冲信号进行强度调制，实现对模拟电信号的光采样，1×2分束器结构用于对采样脉冲信号进行分束处理，移相器结构用于引入π/2的相移。本发明可以实现有源器件和无源器件的单片集成，是实现单片集成器件批量化和产业化的理想材料。采用半导体锁模激光器作为采样脉冲光源，可以实现低至亚皮秒量级的光脉冲宽度和低至亚飞秒量级的脉冲时间抖动。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp 单片 集成 全光模数 转换器 结构 | ||
【主权项】：
一种InP基单片集成全光模数转换器结构，其特征在于：包括半导体锁模激光器、电吸收调制器、1×2分束器结构a、1×2分束器结构b和移相器结构，其中：所述的半导体锁模激光器作为采样脉冲光源输出采样脉冲信号；所述的1×2分束器结构a用于对半导体锁模激光器输出的采样脉冲信号进行分束处理，其中一个输出端作为InP基单片集成全光模数转换器结构的第一输出端，另外一个输出端连接至电吸收调制器；所述的电吸收调制器用于对1×2分束器结构a发送来的采样脉冲信号进行强度调制，实现对模拟电信号的光采样，并发送至1×2分束器结构b；所述的1×2分束器结构b用于对经过电吸收调制器调制后的采样脉冲信号进行分束处理，其中一个输出端作为InP基单片集成全光模数转换器结构的第二输出端，另外一个输出端连接至移相器结构；所述的移相器结构用于对1×2分束器结构b的其中一个输出端引入π/2的相移后，其输出作为InP基单片集成全光模数转换器结构的第三输出端。
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