[发明专利]一种微显示器件修补方法及微显示器件有效
| 申请号： | 201711137764.5 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107910289B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 牛小龙;翁守正;徐相英;孙龙洋;姜晓飞 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京太合九思知识产权代理有限公司 11610 | 代理人： | 刘戈 |
| 地址： | 261031 山东省潍坊*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种微显示器件修补方法及微显示器件，其中，修补方法包括：在剥离衬底后的TFT背板上覆盖倒模层并压实，以在倒模层上形成与TFT背板上缺失LED颗粒对应的若干个凹陷结构；将带有若干个凹陷结构的倒模层从TFT背板上剥离下来并倒置于衬底上；去除若干个凹陷结构倒置形成的凸起结构，以使若干个凹陷结构对应的衬底位置裸露；在裸露的衬底位置上生长LED颗粒，以获得修补用衬底结构；去除修补用衬底结构上的倒模层，并将修补用衬底结构与TFT背板重新键合，以获得修补后的TFT背板。本发明实施例仅需一个衬底即可实现LED颗粒缺失位置的识别以及精准修补，修补效率高且大大节省了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 显示 器件 修补 方法 | ||
【主权项】：
一种微显示器件修补方法，其特征在于，包括：在剥离衬底后的TFT背板上覆盖倒模层并压实，以在所述倒模层上形成与所述TFT背板上缺失LED颗粒对应的若干个凹陷结构；将带有所述若干个凹陷结构的所述倒模层从所述TFT背板上剥离下来并倒置于所述衬底上；去除所述若干个凹陷结构倒置形成的凸起结构，以使所述若干个凹陷结构对应的衬底位置裸露；在裸露的所述衬底位置上生长LED颗粒，以获得修补用衬底结构；去除所述修补用衬底结构上的所述倒模层，并将所述修补用衬底结构与所述TFT背板重新键合，以获得修补后的TFT背板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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