[发明专利]一种含隔离槽的电光开关或含隔离槽的光衰减器及它们的形成方法有效
| 申请号： | 201711137912.3 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109802026B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 李冰;王晓黎 | 申请（专利权）人： | 李冰 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 林高锋;张东梅 |
| 地址： | 200437 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含隔离槽的电光开关或含隔离槽的光衰减器，其包括SOI衬底和MZI结构，与第一波导臂相距第一距离且分别设置在第一波导臂左侧和右侧的第一和第二隔离槽；与第二波导臂相距第二距离且分别设置在第二波导臂左侧和右侧的第三和第四隔离槽；其中第二与第三隔离槽完全重叠；其中第一距离等于第二距离；以及其中所述第一、第二、第三和第四隔离槽至少延伸到顶硅层与氧化物层接触的界面处。本发明还提供形成上述含隔离槽的电光开关或含隔离槽的光衰减器的方法。本发明的有益效果在于提高器件整体消光比且降低器件整体偏振相关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 电光 开关 衰减器 它们 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含隔离槽的电光开关或光衰减器，其包括：SOI衬底，所述SOI衬底从上到下依次包括顶硅层、氧化物层和体硅层；在所述SOI衬底上形成的MZI结构，所述MZI结构包括并行且高度相同的第一波导臂和第二波导臂；与第一波导臂相距第一距离且分别设置在第一波导臂左侧和右侧的第一隔离槽和第二隔离槽；与第二波导臂相距第二距离且分别设置在第二波导臂左侧和右侧的第三隔离槽和第四隔离槽；其中第二隔离槽与第三隔离槽完全重叠；其中第一距离等于第二距离；以及其中所述第一隔离槽、第二隔离槽、第三隔离槽和第四隔离槽至少延伸到顶硅层与氧化物层接触的界面处。
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