[发明专利]一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片有效

专利信息
申请号: 201711137923.1 申请日: 2017-11-16
公开(公告)号: CN107658693B 公开(公告)日: 2019-11-08
发明(设计)人: 赵彤;张明江;徐雨航;张建忠;刘毅;乔丽君;王安帮;王云才 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: H01S5/12 分类号: H01S5/12;H01S5/125;H01S5/068
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 朱源;曹一杰
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片,包括:衬底;下限制层,其制作在衬底上;有源层,其制作在下限制层上;上限制层,其制作在有源层上;波导层,其纵向制作在上限制层上面的中间;P+电极层,其是用隔离沟将其分为两段,制作在波导层上;N+电极层,其制作在下限制层的背面;其中,分为两段的P+电极层分别对应于DFB激光器区和随机反馈区;所述的DFB激光器区为整个芯片提供输出光和反馈光,其对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层;所述的随机反馈区对所述DFB激光器区发出的光进行随机多反馈,该随机反馈区对应的有源层部分制作有随机反馈光栅。本发明采用随机光栅反馈结构产生混沌激光,彻底消除了单腔光反馈混沌激光器的时延特性。
搜索关键词: 一种 基于 随机 光栅 反馈 单片 集成 混沌 激光器 芯片
【主权项】:
1.一种基于随机光栅反馈的单片集成混沌激光器芯片,其特征在于,包括:一衬底;一下限制层,其制作在衬底上;一有源层,其制作在下限制层上;一上限制层,其制作在有源层上;一波导层,为条状,其纵向制作在上限制层上面的中间;一P+电极层,其是用隔离沟将其分为两段,其制作在波导层上;一N+电极层,其制作在下限制层的背面;其中,分为两段的P+电极层分别对应于DFB激光器区和随机反馈区;所述DFB激光器区为整个芯片提供输出光和反馈光,其对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层;所述随机反馈区对DFB激光器区发出的光进行随机多反馈,该随机反馈区对应的有源层部分制作有随机反馈光栅层。
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