[发明专利]基于随机光栅的单片集成半导体随机激光器有效

专利信息
申请号: 201711137990.3 申请日: 2017-11-16
公开(公告)号: CN107749563B 公开(公告)日: 2019-11-08
发明(设计)人: 张明江;乔丽君;吕天爽;张建忠;刘毅;赵彤;王安帮;王云才 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: H01S5/10 分类号: H01S5/10;H01S5/34
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 朱源;曹一杰
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 基于随机光栅的单片集成半导体随机激光器由增益区和随机反馈区两部分组成,包括:一衬底;一下限制层,制作在衬底上;一有源层,制作在下限制层上;一上限制层,制作在有源层上;一波导层,为条状,纵向制作在上限制层上面的中间;一P+电极层,用隔离沟将其分为两段,制作在波导层上;一N+电极层,制作在下限制层的背面。其中,分为两段的P+电极层分别对应于增益区和随机反馈区。随机反馈区制有随机光栅,对增益区发出的光进行随机后向散射,进而产生随机激光。本发明采用随机光栅形成随机谐振腔,是一种新型的单片集成半导体随机激光器,其出射激光的频率、强度都具有随机性,采用单片集成结构,具有重量轻、体积小、性能稳定、集成性强等优点。
搜索关键词: 基于 随机 光栅 单片 集成 半导体 激光器
【主权项】:
1.基于随机光栅的单片集成半导体随机激光器,其特征在于,包括:一衬底;一下限制层,其制作在衬底上;一有源层,其制作在下限制层上;一上限制层,其制作在有源层上;一波导层,为条状,其纵向制作在上限制层上面的中间;一P+电极层,其是用隔离沟将其分为两段,制作在波导层上;一N+电极层,其制作在下限制层的背面;其中,分为两段的P+电极层分别对应于增益区和随机反馈区;所述的随机反馈区对增益区发出的光进行随机反馈,随机反馈区对应的有源层部分为体材料;该随机反馈区对应的有源层部分制作随机光栅。
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