[发明专利]三维存储器字线电阻的测量方法有效
| 申请号： | 201711138083.0 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107993948B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 卢勤;张顺勇;汤光敏;高慧敏 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器字线电阻的测量方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供三维存储器样品(阵列区尚无通孔)；研磨三维存储器样品的金属层至呈现沟道孔插塞；研磨三维存储器样品的第一台阶区至露出第一阶梯区的所有字线，并沉积金属将露出的所有字线进行连接；在三维存储器样品的第二台阶区测量相邻两个字线的电阻和，以及第一个字线与最后一个字线的电阻和；根据测量的电阻和计算每个字线的电阻。本发明中的方法，实现了快速准确的对三维存储器样品中所有字线的电阻的测量，从而为三维存储器的电性分析提供依据，有利于三维存储器产品的顺利研发。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 电阻 测量方法 | ||
【主权项】：
一种三维存储器字线电阻的测量方法，其特征在于，包括：提供三维存储器样品；研磨三维存储器样品的金属层至露出沟道孔插塞；研磨三维存储器样品的第一台阶区至露出所述第一阶梯区的所有字线，并沉积金属将露出的所有字线进行连接；在三维存储器样品的第二台阶区测量相邻两个字线的电阻和，以及第一个字线与最后一个字线的电阻和；根据测量的电阻和计算每个字线的电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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