[发明专利]一种用于三维存储器沟道导通性的测量方法有效
| 申请号： | 201711139448.1 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107991598B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 鲁柳;张顺勇;汤光敏;刘刚 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新的用于三维存储器沟道导通性的测量方法,该方法通过结合使用聚焦离子束机台以及纳米点针台，从而可以在外围电路工艺完善之前提前完成对沟道导通性的准确测试。可以克服传统测量方法中外围控制电路的不良问题对三维存储器沟道导通性测量的影响，实现对沟道本身导电性的测试，并缩短工艺研发周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 三维 存储器 沟道 通性 测量方法 | ||
【主权项】：
一种用于三维存储器沟道导通性的测量方法，包括以下步骤：制备三维存储器待测试样品的步骤；选取测试对象的步骤；线路修补的步骤；加载扫描电压的步骤；判断沟道导通性的步骤。
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