[发明专利]一种制备二硫化钼靶材的方法有效

专利信息
申请号: 201711140436.0 申请日: 2017-11-16
公开(公告)号: CN107916404B 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 崔玉青;席莎;武洲;安耿;朱琦;李晶;王娜 申请(专利权)人: 金堆城钼业股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/06
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 谭文琰
地址: 710077 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种制备二硫化钼靶材的方法,该方法包括以下步骤:一、将二硫化钼粉末进行真空低温热处理;二、将真空低温热处理后的二硫化钼粉末进行球磨处理;三、将球磨处理后的二硫化钼粉末压制成二硫化钼坯料;四、将二硫化钼坯料装入包套中,抽真空焊封后进行热等静压处理,除去包套后得到二硫化钼靶材粗品;五、将二硫化钼靶材粗品进行机械加工和清洗,最终得到二硫化钼靶材。本发明依次对二硫化钼粉末进行真空低温热处理和球磨,提高了二硫化钼粉末的质量纯度和可压性,然后采用压制与热等静压相结合的方法,提高了二硫化钼靶材的致密性和质量纯度,降低了热等静压的成型温度和时间,同时扩大了原料的适用范围。
搜索关键词: 一种 制备 二硫化钼 方法
【主权项】:
1.一种制备二硫化钼靶材的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、将二硫化钼粉末进行真空低温热处理;所述真空低温热处理的真空度为1.1×10‑2Pa~4.8×10‑3Pa,温度为300℃~900℃,时间为15min~240min;步骤二、将步骤一中真空低温热处理后的二硫化钼粉末进行球磨处理;步骤三、将步骤二中球磨处理后的二硫化钼粉末压制成二硫化钼坯料;步骤四、将步骤三中得到的二硫化钼坯料装入包套中抽真空焊封,然后进行热等静压处理,除去包套后得到二硫化钼靶材粗品;所述热等静压处理的温度为500℃~1000℃,压力为50MPa~500MPa,时间为60min~240min;步骤五、将步骤四中得到的二硫化钼靶材粗品进行机械加工和清洗,最终得到二硫化钼靶材。
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