[发明专利]一种制备二硫化钼靶材的方法有效
申请号: | 201711140436.0 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN107916404B | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 崔玉青;席莎;武洲;安耿;朱琦;李晶;王娜 | 申请(专利权)人: | 金堆城钼业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/06 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710077 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种制备二硫化钼靶材的方法,该方法包括以下步骤:一、将二硫化钼粉末进行真空低温热处理;二、将真空低温热处理后的二硫化钼粉末进行球磨处理;三、将球磨处理后的二硫化钼粉末压制成二硫化钼坯料;四、将二硫化钼坯料装入包套中,抽真空焊封后进行热等静压处理,除去包套后得到二硫化钼靶材粗品;五、将二硫化钼靶材粗品进行机械加工和清洗,最终得到二硫化钼靶材。本发明依次对二硫化钼粉末进行真空低温热处理和球磨,提高了二硫化钼粉末的质量纯度和可压性,然后采用压制与热等静压相结合的方法,提高了二硫化钼靶材的致密性和质量纯度,降低了热等静压的成型温度和时间,同时扩大了原料的适用范围。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 二硫化钼 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备二硫化钼靶材的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、将二硫化钼粉末进行真空低温热处理;所述真空低温热处理的真空度为1.1×10‑2Pa~4.8×10‑3Pa,温度为300℃~900℃,时间为15min~240min;步骤二、将步骤一中真空低温热处理后的二硫化钼粉末进行球磨处理;步骤三、将步骤二中球磨处理后的二硫化钼粉末压制成二硫化钼坯料;步骤四、将步骤三中得到的二硫化钼坯料装入包套中抽真空焊封,然后进行热等静压处理,除去包套后得到二硫化钼靶材粗品;所述热等静压处理的温度为500℃~1000℃,压力为50MPa~500MPa,时间为60min~240min;步骤五、将步骤四中得到的二硫化钼靶材粗品进行机械加工和清洗,最终得到二硫化钼靶材。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金堆城钼业股份有限公司,未经金堆城钼业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711140436.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类