[发明专利]防止钨栓塞腐蚀的半导体特性分析方法有效
| 申请号： | 201711140440.7 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107731746B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 卢勤;张顺勇;高慧敏;汤光敏 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止钨栓塞腐蚀的半导体特性分析方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：在晶圆上截取待分析样品，并调配预设浓度的研磨液；去除待分析样品的钝化层及金属叠层至呈现第一金属层；使用调配的预设浓度的研磨液配合抛光盘预定的转速去除第一金属层至呈现钨栓塞层；对呈现钨栓塞层的样品进行特性分析。本发明中，通过调配预设浓度且安全环保的研磨液，并配合抛光盘一定的转速来去除待分析样品的第一金属层，有效地抑制了钨栓塞的电化学反应，进而确保了钨栓塞的完好，使得在钨栓塞层能够进行完整的器件标定，避免了因为样品的处理问题而造成特性分析的误判。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 栓塞 腐蚀 半导体 特性 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种防止钨栓塞腐蚀的半导体特性分析方法，其特征在于，包括：在晶圆上截取待分析样品，并调配预设浓度的研磨液；去除待分析样品的钝化层及金属叠层至呈现第一金属层；使用所述预设浓度的研磨液配合抛光盘预定的转速去除所述第一金属层至呈现钨栓塞层；对呈现所述钨栓塞层的样品进行特性分析。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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