[发明专利]一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法有效
| 申请号： | 201711140523.6 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107799531B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 严萍;高晶;杨川;喻兰芳;丁蕾;张森;张静平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，所述方法包括如下步骤：在硅基板上形成氧化物/氮化物等级层堆栈，继而形成垂直贯穿所述氧化物/氮化物等级层堆栈的栅极线狭缝；去除氧化物/氮化物等级层堆栈中的氮化物层，形成凹陷区域；使用氢氟酸回蚀所述凹陷区域，使得所述氧化物/氮化物等级层堆栈中的氧化物层表面平坦化；将导体材料填入所述凹陷区域中，形成导体层并刻蚀所述导体层，形成导体/绝缘体等级层堆栈。本发明的3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，通过使用氢氟酸(HF)回蚀大头结构，可以消除氧化物层大头现象，从而提高3D NAND等级层堆栈中导体层的填充率，进而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dnand 存储器 等级 堆栈 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND存储器等级层堆栈制造方法，其特征是，包含以下步骤：在硅基板上形成氧化物/氮化物等级层堆栈，继而形成垂直贯穿所述氧化物/氮化物等级层堆栈的栅极线狭缝；去除氧化物/氮化物等级层堆栈中的氮化物层，形成凹陷区域；使用氢氟酸回蚀所述凹陷区域，使得所述氧化物/氮化物等级层堆栈中的氧化物层表面平坦化；使用导体材料填充所述凹陷区域，形成导体层并刻蚀所述导体层，形成导体/绝缘体等级层堆栈。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
