[发明专利]发光二极管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管包括：衬底，位于所述衬底上的叠层结构，位于所述叠层结构上的u‑GaN，位于所述u‑GaN上的n‑GaN，位于所述n‑GaN上的量子阱结构，位于所述量子阱结构上的p‑GaN；本发明所提供的发光二极管及其制备方法，通过在衬底上形成具有氮化铝和氮化镓的叠层结构，在形成叠层结构的过程中将因异质外延所产生的应力进行逐步的释放，避免生长过程中产生的位错穿透至外延层进而影响到外延层的结晶质量和最后制成的发光二极管的性能。

主权项

一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上的叠层结构，位于所述叠层结构上的u‑GaN，位于所述u‑GaN上的n‑GaN，位于所述n‑GaN上的量子阱结构，位于所述量子阱结构上的p‑GaN；所述叠层结构包括多层氮化镓层和多层氮化铝层，相邻氮化镓层之间具有所述氮化铝层，氮化镓层层数等于氮化铝层层数，叠层结构中最底端与衬底接触层为氮化镓层，叠层结构中最顶端与u‑GaN接触层为氮化铝层；所述u‑GaN为未掺杂氮化镓层，所述n‑GaN为n型掺杂氮化镓层，所述量子阱结构包括阱层和多层垒层，所述垒层在垂直于所述n‑GaN表面的方向上层叠设置，相邻垒层之间具有所述阱层，所述p‑GaN为p型掺杂氮化镓层。