[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201711144433.4 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108074818B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 山本阳一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法。为了提高半导体器件的性能，提供一种半导体器件的制造方法，包括在形成氢退火之前，移除包括沟槽的内壁的碳化硅衬底的表面上形成的氧化膜的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：(a)准备碳化硅衬底；(b)在所述碳化硅衬底的表面上形成沟槽；(c)将导电型掺杂剂引入所述沟槽的底部；(d)在所述步骤(c)之后，形成包含碳的耐热膜以掩埋所述沟槽并覆盖所述碳化硅衬底的所述表面；(e)在所述步骤(d)之后，执行热处理以活化所述导电型掺杂剂；(f)在所述步骤(e)之后，移除所述耐热膜；(g)移除通过所述步骤(f)形成在包括所述沟槽的内壁的所述碳化硅衬底的所述表面上的绝缘膜；以及(h)在所述步骤(g)之后，在形成有所述沟槽的所述碳化硅衬底上执行氢退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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