[发明专利]一种抗总剂量辐射的SOIFinFET器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种抗总剂量辐射的SOI FinFET器件及其制备方法。所述SOI FinFET是在SOI衬底上通过刻蚀形成上部宽大、下部窄小的“π”形Fin条结构，其剖面形貌与字母“π”相似。“π”形Fin条下部宽度较小，因此两侧栅间距更小，使得栅对Fin条下部电势控制能力增强，从而有效减弱总剂量辐射在BOX中产生的氧化层陷阱电荷以及Fin/BOX界面态对器件特性的影响，提高其抗总剂量辐射能力。

主权项

一种抗总剂量辐射的SOI FinFET器件，包括SOI衬底，其特征在于，在SOI衬底上具有“π”形Fin条结构，所述Fin条垂直于沟道方向的剖面为“π”形，即Fin条上部宽度较大，下部宽度较小，在该“π”形Fin条顶部至下部较窄区域侧壁表面具有横跨Fin条的栅极结构，与栅极结构接触的Fin条部分构成沟道区；源、漏位于沟道区两端。