[发明专利]用于形成半导体器件的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201711145467.5 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108074880B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | C.埃贝特;M.海因里西;J.希尔施勒;M.普拉珀特;C.特拉万 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄涛;陈岚 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于形成半导体器件的方法包括在半导体管芯上形成（110）硅酮层。所述方法还包括对硅酮层的硅酮表面进行等离子体处理（120）。所述方法还包括在硅酮层的经等离子体处理的硅酮表面上沉积（130）表面活性剂，以获得至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面。所述方法还包括在至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面上形成（140）模制物。所述表面活性剂包括表面活性剂分子，所述表面活性剂分子包括以有机复合物终止的无机构架。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体管芯上形成（110）硅酮层；对硅酮层的硅酮表面进行等离子体处理（120）；在硅酮层的经等离子体处理的硅酮表面上沉积（130）表面活性剂，以获得至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面；和在至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面上形成（140）模制物，其中所述表面活性剂包括表面活性剂分子，所述表面活性剂分子包括以有机复合物终止的无机构架。
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