[发明专利]一种高纯硫化亚铜的制备方法有效
申请号: | 201711152135.X | 申请日: | 2017-11-19 |
公开(公告)号: | CN107673396B | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 王瑞祥;赵鑫;李棉;廖春发;梁凯;程琍琍;李啊林 | 申请(专利权)人: | 江西理工大学 |
主分类号: | C01G3/12 | 分类号: | C01G3/12 |
代理公司: | 赣州凌云专利事务所 36116 | 代理人: | 曾上;卢和炳 |
地址: | 341000 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种高纯硫化亚铜的制备方法,首先将硫酸铜和硫化钠配制为溶液反应沉淀后得到硫化铜,将硫化铜经过滤、真空干燥和研磨后得到硫化铜粉末,其次将硫化铜粉末置于坩埚内,在硅酸钠保护层和氮气气氛的条件下进行高温熔炼,制备出纯净的硫化亚铜,经破碎球磨后得到粒度均匀的硫化亚铜粉末。本发明操作简单,成本低,过程易于控制,制备的硫化亚铜纯度高,杂质少。 | ||
搜索关键词: | 硫化亚铜 制备 硫化铜粉末 硫化铜 高纯 高温熔炼 粒度均匀 溶液反应 研磨 保护层 硅酸钠 硫化钠 硫酸铜 球磨 坩埚 配制 沉淀 破碎 | ||
【主权项】:
1.一种高纯硫化亚铜的制备方法,其特征是,包括以下步骤:(1)将分析纯硫酸铜和硫化钠各配置成溶液反应沉淀,过滤后经真空干燥、研磨得到硫化铜粉末;(2)将步骤(1)得到的硫化铜粉末置于刚玉坩埚内压实,在分析纯硅酸钠熔炼保护层和氮气气氛的条件进行熔炼;(3)熔炼结束温度降低至室温后,将步骤(2)得到的硫化亚铜经破碎球磨得到粒度均匀的硫化亚铜粉末;步骤(2)中的熔炼包括两个阶段:第一阶段由室温升高到850℃,在850℃温度保温30分钟,使硅酸钠完全变成熔体覆盖在硫化铜粉末表面,防止生成氧化铜、氧化亚铜;第二阶段由850℃升高到1100℃~1300℃之间,在1100℃~1300℃温度保温1~1.5小时。
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