[发明专利]基于β-Ga2有效

专利信息
申请号: 201711152968.6 申请日: 2017-11-17
公开(公告)号: CN108007977B 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 张香丽 申请(专利权)人: 张香丽
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 322207 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及基于β‑Ga2O3/CuGa2O4/[HONH3]PbI3异质结的气敏传感器及其制备方法,包括金叉指电极,ITO透明导电玻璃,位于ITO透明导电玻璃上的β‑Ga2O3薄膜,位于β‑Ga2O3薄膜上方的β‑Ga2O3/CuGa2O4异质结纳米墙阵列和[HONH3]PbI3薄膜;所述β‑Ga2O3/CuGa2O4异质结纳米墙阵列间隔嵌于[HONH3]PbI3薄膜,所述金叉指电极位于[HONH3]PbI3薄膜上方和位于ITO透明导电玻璃上方,位于[HONH3]PbI3薄膜上方的金叉指电极和位于β‑Ga2O3薄膜上方的β‑Ga2O3/CuGa2O4异质结纳米墙阵列间隔排列,且金叉指电极的顶端低于β‑Ga2O3/CuGa2O4异质结纳米墙阵列顶端。本发明的气敏传感器件,具有三维空间多相异质结界面结构,相互之间具有协同作用,气敏特性稳定,具有自供电、零功耗,无需加热,在室温下即可测VOC气体,在室内甲醛气体、糖尿病患者丙酮含量以及酒驾的检测等领域具有很大的应用前景。
搜索关键词: 基于 ga base sub
【主权项】:
1.基于β-Ga2O3/CuGa2O4/[HONH3]PbI3异质结的气敏传感器,其特征在于,包括金插指电极,ITO透明导电玻璃,位于ITO透明导电玻璃上的β-Ga2O3薄膜,位于β-Ga2O3薄膜上方的β-Ga2O3/CuGa2O4异质结纳米墙阵列和[HONH3]PbI3薄膜;所述β-Ga2O3/CuGa2O4异质结纳米墙阵列间隔嵌于[HONH3]PbI3薄膜,所述金插指电极位于[HONH3]PbI3薄膜上方和位于ITO透明导电玻璃上方,位于[HONH3]PbI3薄膜上方的金插指电极和位于β-Ga2O3薄膜上方的β-Ga2O3/CuGa2O4异质结纳米墙阵列间隔排列,且金插指电极的顶端低于β-Ga2O3/CuGa2O4异质结纳米墙阵列顶端。
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