[发明专利]无啁啾的增益调制半导体激光器装置及激光强度调制方法在审
| 申请号： | 201711153347.X | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107910749A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 张璋;黄博;杨宁;韩俊豪;曾翔昊 | 申请（专利权）人： | 烽火通信科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/042;H01S5/12 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)42225 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无啁啾的增益调制半导体激光器装置及激光强度调制方法，涉及激光光学领域，该装置包括激光器和设于所述激光器一侧的增益调制器，所述激光器包括第一半导体增益介质、设于所述第一增益介质两端的DFB反射器以及加载于所述第一增益介质上的第一驱动电流源；所述增益调制器包括第二半导体增益介质以及加载于所述第二增益介质上的第二驱动电流源，所述增益调制器用于对激光器输出的激光强度进行调制。本发明输出的激光不存在啁啾现象且激光光强较大。 | ||
| 搜索关键词： | 啁啾 增益 调制 半导体激光器 装置 激光 强度 方法 | ||
【主权项】：
一种无啁啾的增益调制半导体激光器装置，其特征在于，包括：激光器(301)，所述激光器(301)包括第一半导体增益介质(303)、设于所述第一增益介质两端的DFB反射器(304)以及加载于所述第一增益介质上的第一驱动电流源(305)；设于所述激光器(301)一侧的增益调制器(302)，所述增益调制器(302)包括第二半导体增益介质(306)以及加载于所述第二增益介质上的第二驱动电流源(307)，所述增益调制器(302)用于对激光器(301)输出的激光强度进行调制。
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