[发明专利]一种采用标准CMOS工艺实现的太赫兹非对称变压器在审
| 申请号： | 201711153516.X | 申请日： | 2017-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN108022717A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 毛陆虹;陈天伟 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01F19/04 | 分类号： | H01F19/04;H01F27/28 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300192*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种采用标准CMOS工艺实现的太赫兹非对称变压器，初级线圈和次级线圈，其中，所述的初级线圈为多边形形状的环形线圈，所述环形线圈的一侧形成有向外凸出的开口，所述开口的两个端中的一个端构成初级线圈第一端口，另一个端构成初级线圈第二端口，所述的次级线圈是由位于所述环形线圈环内侧的Π形结构的次级线圈主体和位于所述环形线圈环外侧且与Π形结构的次级线圈主体开口端对应设置的端口结构构成。本发明通过非对称的结构，使得实现太赫兹频段的片上变压器具有较大前后级电感差值，并且能保持较高耦合系数。本发明集成度高、成本低、易于大规模生产，能够达到的参数还可以和现有结构形成补充关系，在太赫兹电路的匹配中，提供了更宽广的参数选择范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 标准 cmos 工艺 实现 赫兹 对称 变压器 | ||
【主权项】：
1.一种采用标准CMOS工艺实现的太赫兹非对称变压器，其特征在于，包括，初级线圈和次级线圈，其中，所述的初级线圈为多边形形状的环形线圈(M21)，所述环形线圈(M21)的一侧形成有向外凸出的开口，所述开口的两个端中的一个端构成初级线圈第一端口(P1)，另一个端构成初级线圈第二端口(P2)，所述的次级线圈是由位于所述环形线圈(M21)环内侧的Π形结构的次级线圈主体和位于所述环形线圈(M21)环外侧且与Π形结构的次级线圈主体开口端对应设置的端口结构构成。
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