[发明专利]用于源极/漏极外延区的灵活合并方案

摘要

一种方法包括蚀刻第一半导体鳍和第二半导体鳍以形成第一凹槽。第一半导体鳍和第二半导体鳍具有第一距离。蚀刻第三半导体鳍和第四半导体鳍以形成第二凹槽。第三半导体鳍和第四半导体鳍具有等于或小于第一距离的第二距离。实施外延以同时从第一凹槽生长第一外延半导体区和从第二凹槽生长第二外延半导体区。第一外延半导体区彼此合并，并且第二外延半导体区彼此分离。本发明实施例涉及用于源极/漏极外延区的灵活合并方案。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成在第一半导体鳍的顶面和侧壁上延伸的第一栅极堆叠件，其中，所述第一半导体鳍彼此平行且相邻；形成在第二半导体鳍的顶面和侧壁上延伸的第二栅极堆叠件，其中，所述第二半导体鳍彼此平行且相邻；形成介电层，其中，所述介电层包括在所述第一栅极堆叠件和所述第一半导体鳍上延伸的第一部分，和在所述第二栅极堆叠件和所述第二半导体鳍上延伸的第二部分；在第一蚀刻工艺中，蚀刻所述介电层的第一部分以在所述第一半导体鳍的侧壁上形成第一鳍间隔件，其中，所述第一鳍间隔件具有第一高度；在第二蚀刻工艺中，蚀刻所述介电层的第二部分以在所述第二半导体鳍的侧壁上形成第二鳍间隔件，其中，所述第二鳍间隔件具有比所述第一高度更大的第二高度；凹进所述第一半导体鳍以在所述第一鳍间隔件之间形成第一凹槽；凹进所述第二半导体鳍以在所述第二鳍间隔件之间形成第二凹槽；以及同时从所述第一凹槽生长第一外延半导体区和从所述第二凹槽生长第二外延半导体区，其中，从相邻的所述第一凹槽生长的所述第一外延半导体区彼此合并，并且从相邻的所述第二凹槽生长的所述第二外延半导体区彼此分离。