[发明专利]模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法有效
| 申请号： | 201711158329.0 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107679353B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 李辉;姚然;赖伟;任海;李金元;龙海洋;李尧圣;何蓓 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及本发明涉及一种模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法，属于大功率半导体器件失效机理和可靠性研究领域。该建模方法包括压接式IGBT失效短路过程模拟，建立失效短路形成渗透坑的压接式IGBT器件等效模型，通过设置渗透坑内铝元素含量，形成不同失效短路过程的材料属性变化；压接式IGBT器件多物理场建模，建立压接式IGBT器件几何模型，基于不同失效短路过程的材料属性变化，循环仿真模拟在不同失效短路过程中电阻、热阻变化规律。本发明实现了压接式IGBT器件失效短路过程有限元建模分析，通过考虑渗透坑的失效短路等效模型，模拟了压接式IGBT器件在发生失效短路过程中特征参数的变化，可以为压接式IGBT器件失效短路状态监测提供基础。 | ||
| 搜索关键词： | 模拟 压接式 igbt 器件 失效 短路 机理 有限元 建模 方法 | ||
【主权项】：
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