[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201711160518.1 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN108091681B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 森隆弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一实施方式的半导体器件具有：半导体衬底，其具有第一面；绝缘隔离构造，其配置在第一面侧、且具有第一深度；以及栅极电极。半导体衬底具有与第一面相接而配置的源极区域以及漏极区域、与第一面相接而配置且具有第二深度的相反导电型区域、以包围源极区域的方式与第一面相接而配置的体区域、以及以包围漏极区域及相反导电型区域并且在与源极区域之间夹持体区域的方式与所述第一面相接而配置的漂移区域。源极区域、漂移区域及漏极区域是第一导电型，体区域及相反导电型区域是与第一导电型相反的导电型即第二导电型，绝缘隔离构造配置在漏极区域与相反导电型区域之间。第一深度比第二深度深。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有第一面；绝缘隔离构造，其配置在所述第一面侧，且由具有第一深度的绝缘体构成；以及栅极电极，所述半导体衬底具有：源极区域，其与所述第一面相接地配置；漏极区域，其与所述第一面相接地配置；相反导电型区域，其与所述第一面相接地配置、且具有第二深度；体区域，其以包围所述源极区域的方式与所述第一面相接地配置；以及漂移区域，其以包围所述漏极区域及所述相反导电型区域、且在该漂移区域与所述源极区域之间夹持所述体区域的方式与所述第一面相接地配置，所述源极区域、所述漂移区域及所述漏极区域是第一导电型，所述体区域及所述相反导电型区域是与所述第一导电型相反的导电型即第二导电型，所述绝缘隔离构造配置在所述漏极区域与所述相反导电型区域之间，所述栅极电极与所述体区域的被所述源极区域和所述漂移区域夹持的部分绝缘且相对，所述第一深度比所述第二深度深。
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