[发明专利]一种增强显影后光刻胶粘附性的方法在审
| 申请号： | 201711163302.0 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107942623A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 宗立超;王星杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;G03F7/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强显影后光刻胶粘附性的方法，包含第一步，涂覆光刻胶；第二步，光刻胶曝光及显影；第三步，光刻胶对准测量；第四步，光刻胶关键尺寸测量；第五步，UVQ；第六步，使用去离子水对硅片进行清洗浸润；第七步，进行高剂量的离子注入；第八步，去除光刻胶；第九步，光刻胶去胶检查。本发明所述的增强显影后光刻胶粘附性的方法，在光刻胶显影完成后，对硅片增加一步去离子水的清洗浸润，保证光刻胶与硅片之间保留良好的粘附性，解决了高剂量注入时光刻胶剥离的问题，提高工艺宽容度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 显影 光刻 胶粘 方法 | ||
【主权项】：
一种增强显影后光刻胶粘附性的方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：第一步，涂覆光刻胶；第二步，光刻胶曝光及显影；第三步，光刻胶对准测量；第四步，光刻胶关键尺寸测量；第五步，深紫外光曝光坚膜；第六步，使用去离子水对硅片进行清洗浸润；第七步，进行高剂量的离子注入；第八步，去除光刻胶；第九步，光刻胶去胶检查。
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