[发明专利]一种薄膜的制备方法及其应用、QLED器件有效
| 申请号： | 201711163312.4 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109817510B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜的制备方法及其应用、QLED器件，所述制备方法包括步骤：将第一金属盐溶液和第二金属盐溶液混合，加入第一燃料，混合均匀后得到混合液，将混合液沉积成膜，加热使第一燃料分解放热，促进第一金属盐与第二金属盐反应得到薄膜；其中，第一燃料为反应体系中温度在120℃以上即可发生分解反应的燃料，第一金属为正二价态金属元素和正三价金属元素中的一种或多种，第二金属为正三价态金属和正四价态金属元素中的一种或多种。本发明利用利用第一燃料在较低温度即可以分解放出大量的热量的特点，在较低温度下促使溶液状态的金属第一金属盐与金属第二金属盐反应，形成金属氧化物薄膜，薄膜的致密性高、均匀性好，解决了现有方法制备的钙钛矿型金属氧化物质量不佳，影响其在QLED器件中的应用的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 制备 方法 及其 应用 qled 器件 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：将第一金属盐溶液和第二金属盐溶液混合，加入第一燃料，混合均匀后得到混合液，将混合液沉积成膜，加热使第一燃料分解放热，促进第一金属盐与第二金属盐反应得到薄膜；其中，第一燃料为反应体系中温度在120℃以上即可发生分解反应的燃料，第一金属为正二价态金属元素和正三价金属元素中一种或多种，第二金属为正三价态金属和正四价态金属元素中一种或多种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
