[发明专利]SONOS读时序电路有效
| 申请号： | 201711163472.9 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107799136B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 刘芳芳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/22 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SONOS读时序电路,包含：第一及第二PMOS管，第一及第二NMOS管，以及一个电容；其中第一PMOS与第一NMOS串联，第二PMOS与第二NMOS串联；第一PMOS与第二PMOS的源极接电源；第一PMOS与第一NMOS的栅极并联后接输入，第一PMOS与第一NMOS的串联节点接第二PMOS及第二NMOS的栅极；第二PMOS与第二NMOS的串联节点为输出端口，第二NMOS的源极接地；所述电容一端接地，另一端接第二PMOS及第二NMOS的栅极；所述第一NMOS的源极通过一旁路电流源接地。本发明采用具有正负温度系数的旁路电流源，对被选中读的单元的预充电时间和产生灵敏放大器比较数据“0”或“1”的时间时序进行重新分配，保证读时序电路在低温下也能稳定有效读取数据。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 时序电路 | ||
【主权项】：
一种SONOS读时序电路，其特征在于，包含：第一及第二PMOS管，第一及第二NMOS管，以及一个电容；其中第一PMOS与第一NMOS串联，第二PMOS与第二NMOS串联；第一PMOS与第二PMOS的源极接电源；第一PMOS与第一NMOS的栅极并联后接输入，第一PMOS与第一NMOS的串联节点接第二PMOS及第二NMOS的栅极；第二PMOS与第二NMOS的串联节点为输出端口，第二NMOS的源极接地；所述电容一端接地，另一端接第二PMOS及第二NMOS的栅极；所述第一NMOS的源极通过一旁路电流源接地；上述读时序电流在工作时产生四种时序：被选中读的地址的建立时间Tcl、被选中读的单元的预充电时间Tpc、灵敏放大器比较数据“0”或“1”的时间Tsa以及一个完整的读周期Taa。
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