[发明专利]一种厚膜混合集成电路及其批量生产控制方法有效
申请号: | 201711163906.5 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN109817648B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 田振国;田仁杰 | 申请(专利权)人: | 湖北东光电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/13 | 分类号: | H01L27/13;H01L21/67 |
代理公司: | 荆门市首创专利事务所 42107 | 代理人: | 董联生 |
地址: | 448124 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种厚膜混合集成电路及其批量生产控制方法,该包括厚膜电阻R6、厚膜电阻R7、瓷片电容C2、瓷片电容C3。对厚膜电阻R6与厚膜电阻R7进行分档测试时,横厚膜电阻R6标A*,按A1‑A7档分类标识于子陶瓷片左侧;竖厚膜电阻R7标X*,按X1‑X7档分类标识于子陶瓷片右侧。对C2与C3进行分档测试时,按B1‑B7档分类标识置于相同标识的小盒之内。Am与Bn对,Xm与Bn对,对Am与Bn之m与n的取值组合,优先考虑等于8进行组合,考虑批量生产电容的数量限制,其余依据不足的按6≤m+n≤10组合进行控制。本发明用于对轨道系统上的25Hz基信号进行精确采样、选频放大、整流与平滑处理,在工作信号幅度范围内,非线性可达到0.1%;该批量生产控制方法保障了产品的设计需要,满足了对应的厚膜混合集成电路批量生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 混合 集成电路 及其 批量 生产 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种厚膜混合集成电路,包括厚膜电阻R6、厚膜电阻R7、瓷片电容C2、瓷片电容C3;其特征在于:厚膜电阻R6另一端连接厚膜电阻R7一端,厚膜电阻R7另一端连接运算放大器U2的同相输入端;厚膜电阻R6另一端连接瓷片电容C2一端,瓷片电容C2另一端连接电阻R8一端、运算放大器U2的输出端,电阻R8另一端连接运算放大器U2的反相输入端;瓷片电容C3一端连接运算放大器U2的同相输入端,瓷片电容C3另一端接地;电阻R9一端连接运算放大器U2的反相输入端,电阻R9另一端接地。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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