[发明专利]一种使用杂交MOS管的MRAM芯片有效
| 申请号： | 201711163944.0 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107845398B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;王志刚 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种使用杂交MOS管的MRAM芯片，包括外部电路和由若干个存储单元组成的存储单元阵列，存储单元阵列通过字线和位线与外部电路连接，每个存储单元由磁性隧道结和杂交NMOS管组成，杂交NMOS管的栅极宽度和/或氧化层厚度与标准NMOS管不同。本发明的有益效果：(1)杂交NMOS管的电流，特别是不利方向上的电流大幅度提高，可以不用超压或者很小的超压就能完成写操作，这样延长了NMOS管也就是MRAM芯片的使用寿命。(2)电流能力的提高同时对应于MOS管等效电阻的降低，帮助降低写功耗。(3)制成杂交管不需要修改晶圆厂的现有工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 杂交 mos mram 芯片 | ||
【主权项】：
一种MRAM芯片，包括外部电路和由若干个存储单元组成的存储单元阵列，所述存储单元阵列通过字线和位线与所述外部电路连接，其特征在于，每个所述存储单元由磁性隧道结和杂交NMOS管组成，且至少符合下述要求(1)与(2)之中的一个：(1)所述杂交NMOS管的栅极宽度与标准NMOS管的栅极宽度不同；(2)所述杂交NMOS管的氧化层厚度与标准NMOS管的氧化层厚度不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711163944.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：洗衣机及其控制方法
- 下一篇：头戴设备及其面部调节机构
