[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其制备方法

摘要

本申请公开了一种鳍式场效应晶体管及其制备方法，其中，所述鳍式场效应晶体管的制备方法将假栅的主刻蚀过程分为两次刻蚀过程，即对假栅层的第一次刻蚀和对假栅雏形结构的第二次刻蚀，并且在两次主刻蚀过程中引入了一次氮化处理，以在第一次刻蚀形成的假栅雏形结构背离衬底一端表面形成绝缘薄膜，所述绝缘薄膜在第二次刻蚀过程中起到了对假栅雏形结构背离所述衬底一端的假栅的保护作用，避免了顶部的假栅在第二次刻蚀过程中被长时间过刻蚀而形成凹陷等受损现象的可能，从而改善了后续形成的鳍式场效应晶体管的栅极的形貌，进而改善了最终形成的鳍式场效应晶体管的电学性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有多个相间排列的隔离部和鳍部，所述隔离部部分覆盖所述鳍部侧壁；在所述鳍部背离所述衬底一侧表面沉积假栅介质层，以使所述假栅介质层覆盖所述鳍部的裸露表面；在所述隔离部和鳍部背离所述衬底一侧表面沉积假栅层；对所述假栅层进行第一次刻蚀，以形成假栅雏形结构，所述第一次刻蚀的持续时间为第一预设时间；对所述假栅雏形结构进行氮化处理，以在所述假栅雏形结构背离所述衬底一端表面形成绝缘薄膜；对氮化处理后的假栅雏形结构进行第二次刻蚀，以形成横跨至少一个所述鳍部的假栅，所述假栅与所述假栅介质层构成假栅结构，所述第二次刻蚀的持续时间为第二预设时间，所述第一预设时间与所述第二预设时间的比值大于或等于1，所述第一预设时间与第二预设时间之和等于假栅主刻蚀工艺所需时间。