[发明专利]一种用于三维存储器阵列区共源极的测量方法在审
| 申请号： | 201711165462.9 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107993950A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 刘秋艳;张顺勇;汤光敏;鲁柳 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器的测试方法，用于对多晶硅材质的阵列区共源极电阻进行准确测量，选取目标阵列区共源极,用聚焦离子束机台截断阵列区共源极上面的金属钨层,断开金属钨的电流线路,从而在测试电阻时，电流只流经多晶硅材质，通过欧姆定律计算得出多晶硅材质共源极的实际电阻，从而避免了金属钨层对多晶硅共源极电阻测量准确性的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 三维 存储器 阵列 区共源极 测量方法 | ||
【主权项】：
一种用于三维存储器阵列区共源极的测量方法，所述三维存储器阵列区共源极包含位于接触孔内下部的多晶硅层以及位于多晶硅层之上的钨金属层，所述方法包括如下步骤：制备三维存储器芯片结构；阵列区共源极测量样品的准备；共源极多晶硅层电阻的测量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711165462.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
