[发明专利]一种沟槽型肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基接触区和上电极层。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上。所述第二导电类型体区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述栅介质层嵌入于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面区域。所述栅介质层呈现为U型结构，所述U型结构底部介质层厚度大于侧壁介质层厚度。所述栅电极层覆盖于U型栅介质层之内。所述肖特基势垒接触区覆盖于第二导电类型体区之上。所述上电极层覆盖于栅电极层和肖特基势垒接触区之上。

主权项

1.一种沟槽型肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、轻掺杂第一导电类型外延层(30)、第二导电类型体区(40)、栅介质层(60)、栅电极层(70)、肖特基接触区(80)和上电极层(90)；所述重掺杂第一导电类型衬底层(20)覆盖于下电极层(10)之上；所述轻掺杂第一导电类型外延层(30)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(20)之上；所述第二导电类型体区(40)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面；所述栅介质层(60)嵌入于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面区域；所述栅介质层(60)呈现为U型结构，所述U型结构底部介质层厚度大于侧壁介质层厚度；所述栅电极层(70)覆盖于U型栅介质层(60)之内；所述肖特基势垒接触区(80)覆盖于第二导电类型体区(40)之上；所述上电极层(90)覆盖于栅电极层(70)和肖特基势垒接触区(80)之上。