[发明专利]控制3D NAND闪存结构中沟道关键尺寸的方法

摘要

本发明提供了一种3D NAND闪存结构的沟道刻蚀过程中控制3D NAND闪存结构的沟道关键尺寸的方法，通过在沟道刻蚀工艺前增加湿法清洗的工艺步骤，能够有效清除衬底背面形成的有害的氧化物绝缘材料；由于衬底背面形成的有害的绝缘材料被去除，从而有利于衬底一侧的电极集聚更多的负电荷，进而增强等离子源正负电极之间正、负电荷的吸引力，从而保证等离子源的垂直下行，以使得等离子刻蚀尽量各向异性的垂直于衬底表面向下刻蚀，避免其他方向的无益、甚至是有害刻蚀；基于等离子刻蚀各向异性刻蚀的强化，更便于控制沟道的关键尺寸(CD)，从而有效保证了沟道关键尺寸的精度，进而提高了3D NAND闪存的整体性能。

主权项

一种3D NAND闪存结构的沟道刻蚀过程中控制沟道关键尺寸(CD)的方法，包括以下步骤：在衬底表面沉积衬底堆叠结构；为形成顶层选择栅切线进行光刻；为形成顶层选择栅切线进行刻蚀，以形成顶层选择栅切线沟槽；采用原子层沉积工艺对顶层选择栅切线沟槽进行氧化物填充；将原子层沉积工艺在衬底背面形成的氧化物材料去除；沉积沟道刻蚀用硬掩模层；为形成沟道进行光刻；为形成沟道进行刻蚀。