[发明专利]用于扫描电容显微镜的样品的制备方法及使用该方法制备的样品有效
| 申请号： | 201711167032.0 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107702962B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 魏磊;高慧敏;方斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;G01Q60/46 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于扫描电容显微镜的样品的制备方法，其特征在于：方法包括：提供目标地址区域，目标地址区域是要使用扫描电容显微镜进行扫描的任何结构，并且目标地址区域埋设于第一氧化物中，以及在第一氧化物之下具有硅片；在第一氧化物上沉积第二氧化物；在第二氧化物上黏贴一层或多层玻璃片，得到待研磨样品；以及研磨待研磨样品，从而得到用于扫描电容显微镜的样品。本发明在现有的待研磨SCM截面样品上再沉积氧化物层，并黏贴玻璃片层，增加了待研磨SCM截面样品的整体厚度，使得在研磨过程中，由于用力不均匀而导致的曲面截面现象不会损坏目标地址区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 扫描 电容 显微镜 样品 制备 方法 使用 | ||
【主权项】：
一种用于扫描电容显微镜的样品的制备方法，其特征在于：所述方法包括：提供目标地址区域，所述目标地址区域是要使用所述扫描电容显微镜进行扫描的任何结构，并且所述目标地址区域埋设于第一氧化物中，以及在所述第一氧化物之下具有硅片；在所述第一氧化物上沉积第二氧化物；在所述第二氧化物上黏贴一层或多层玻璃片，得到待研磨样品；以及研磨所述待研磨样品，从而得到所述用于扫描电容显微镜的样品。
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