[发明专利]背沟道蚀刻型TFT基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种背沟道蚀刻型TFT基板及其制备方法。本发明的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法采用C轴结晶IGZO薄膜来制备有源层，由于C轴结晶IGZO具有极强的耐腐蚀性，能够抵抗铜蚀刻液的侵蚀，因此在源极与漏极的蚀刻过程中，有源层不会受到损害，保证有源层的性能稳定，制得的背沟道蚀刻型TFT基板具有稳定的电学性能。另外，用于制备C轴结晶IGZO薄膜的非晶IGZO薄膜在高氧气氛下制备得到，使得非晶IGZO薄膜的结晶退火温度下降到600℃或以下，省去了高温退火炉的投入，降低生产成本。本发明的背沟道蚀刻型TFT基板采用上述方法制得，具有稳定的电学性能，且生产成本低。

主权项

一种背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(20)，在所述栅极(20)及衬底基板(10)上形成栅极绝缘层(30)；在所述栅极绝缘层(30)上形成C轴结晶IGZO薄膜，对所述C轴结晶IGZO薄膜进行图形化处理后，得到有源层(40)；在所述有源层(40)上形成间隔设置的源极(51)与漏极(52)。